文件名称半导体激光低频治疗仪安全风险分析文件编号WI/JZ/003/JD等级机密文件页数20状态：编写：日期：日期：日期：版本号1.0姓名职务组内职务总经理组长主要职责文档审批、资源保证、人员确定总工、技术部负责人副组长组织协调、评审组长生产部负责人组员验证和验证资料收集，临床资料收集管代、办公室组员销售经理组员原材料资料收集，组织协调，资料汇总、整理反响信息汇总安全风险分析报告1编制依据1）〕YY/T0316-2023医疗...
半导体设备行业专题报告：国内需求增长，进展提速一、中芯国际上市，加速设备进程中芯国际回归A股，国产晶圆制造崛起。中芯国际公布将于科创板上市，拟发行16.86亿股募集200亿，国产晶圆制造龙头强势回归A股，募集资金主要投资于：〔1〕40%用于投资12英寸SN1工程〔中芯南方一期〕；〔2〕20%用于公司现金及成熟工艺研发工程的储藏资金；〔3〕40%用于补充流淌资金。中芯国际在国内芯片产业链地位中占有举足轻重的地位。公司不断加...
-1-建设工程根本状况〔表一〕工程名称建设单位法人代表通讯地址联系建设地点立项审批部门远地半导体封装加工生产线〔一期〕联系人传真/批准文号行业类别邮政编码C3962半导体分立器件建设性质占地面积〔m2〕总投资(万元)评价经费(万元)建212454〔合319亩〕其中：环保投48000资(万元)预期投产日期及代码绿化面积1370.0制造5480环保投资占总投资比例2022.062.85%工程内容及规模：一、企业概况与任务由来××远地投资成立于2022年，...
半导体车间施工组织设计方案1编制说明2工程概况及施工特点32.1工程概况2.2施工特点2.3施工环境要紧施工方法43.1施工测量放线3.2根底工程3.3主体工程3.3.1钢筋工程3.3.2模板工程3.3.3混凝土工程3.3.4砖砌体工程3.4脚手架工程3.5装饰工程3.5.1抹灰工程3.5.2墙砖饰面工程3.5.3楼地面装饰工程3.5.4墙面天棚乳胶漆饰面3.5.5门窗工程3.5.6油漆工程3.6屋面及防水工程3.7电气安装工程3.8季节性施工措施劳动力打算、保证劳务工资支付打算...
半导体封装原材料特性简介一、“工业的黄金”——铜〔最古老的金属〕铜在地壳中含量比较少，在金属中含量排第17位。铜主要以化合物的形式存在于各种铜矿中，常见的有黄铜矿、辉铜矿、赤铜矿、孔雀石等。物理性质：金属铜，元素符号Cu，原子量63.54，比重8.92,熔点1083oC，沸点2567℃，密度8.92g/cm3。。纯铜呈浅玫瑰色或淡红色,外表形成氧化铜膜后,外观呈紫铜色所以又称为紫铜或红铜。铜属有色金属，导电导热性，延展性良好，焰...
半导体之集成电路产业链全景图半导体主要由四个组成局部组成：集成电路(约占81%)，光电器件(约占10%)，分立器件(约占6%)，传感器(约占3%)，因此通常将半导体和集成电路等价。日本信越信越化学工业株式会社，1926年成立，经半个多世纪的进展,其自行研制的单晶硅片、有机硅、纤维素衍生物等原材料已成功建立了全球范围的生产和销售网络，其半导体硅、聚氯乙烯等原材料的供给在全球首屈一指。信越集团自行生产主要事业的主原料—单...
试验指导书教学单位：电子工程系课程名称：半导体物理面对专业：电子科学与技术电子科技大学中山学院2023年10月2a2X(I)b2试验指导书试验名称：试验一、半导体霍尔效应学时安排：3试验类别：验证性试验要求：必做一、试验目的和任务1、理解霍尔效应的物理意义；2、了解霍尔元件的实际应用；3、把握推断半导体导电类型，学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度、漂移迁移率及霍尔迁移率的试验方法。二、试验原理介绍将...
半导体工厂大宗气体系统的设计搞要本文对集成电路芯片厂中的大宗气体系统的设计过程作了概括性的描述，对当前气体设计技术及其进展方向作了探讨，同时结合自己对多个FAB厂房的设计阅历提出了设计中值得留意的问题和解决方案。ThispaperintroducesageneraldesignprocessforBulkGasSysteminFAB.Currentgasdesigntechnologyanditsdevelopmentdirectionarealsodiscussed.Basedontheauthor抯experienceinFABdesign,severalpotentialp...
半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结〔极间〕电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度确实定变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流〔正向测试电流〕。锗检波二极管...
2023年光伏产业链及半导体产业链晶硅片切割刃料制造行业分析报告目录一、晶硅片切割刃料概述........................................................................41、晶硅片切割刃料在光伏产业、半导体产业中的重要作用..........................5（1）晶硅片切割工艺.......................................................................................................5（2）晶硅片切割刃料的重要作用...........
半导体照明产品日本市场准入要求1引言日本是全球重要的LED产业基地，技术水平和产值规模都领先于其他国家，把握着大局部的LED高端市场。在LED标准方面，日本也领先于其它国家，最早制定出白光LED的检测标准。本文将对LED产品的安全、电磁兼容、性能等要求进展介绍和分析，期望能为意图开拓日本市场的企业供给参考。2安全要求LED照明产品要进入日本市场，首先要满足《电气用品安全法》及其相关实施法规的要求。目前LED产品中受《...
1半导体芯片制造中级工复习题—推断题：1.单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按确定的周期有规章的排列，并沿全都的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。(√)2.迁移率是反映半导体中载流子导电力气的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。(√)3.点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体...
半导体离子注入工艺09电科A柯鹏程0915221019离子注入法掺杂和集中法掺杂比照来说，它的加工温度低、简洁制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不行缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。注入能量介于1eV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm~10um。相对集中工艺，粒子注入的主要好处在于能更准确地把握杂质参杂、可重复性和较低的...
半导体器件常用型号参数解析一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结〔极间〕电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度确实定变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流〔正向测试电流〕。锗检波二...
.第一章半导体二极管§1-1半导体的根本学问教学目的：1、了解半导体导电性及特点。2、初步把握PN结的根本特性及非线性的实质。3、生疏二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数。4、了解特别功能的二极管及应用。教学重点、难点：教学重点：1〕半导体导电性及特点。2）PN结的根本特性及非线性的实质3）二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数。教学难点：二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数一、半导体的根本概念人们...
2023年8英寸功率半导体制造工程可行性争论报告2023年7月目录一、工程概况............................................................................................3二、工程背景及建设意义........................................................................31、外延层对于功率器件的技术意义....................................................................42、屡次外延工艺对于超结MOSFET的技术意义.....
