第一章半导体产业介绍1.什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？(15分)集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。集成电路芯片/元件数产业周期无集成11960年前小规模(SSI)2到5020世纪60年代前期中规模(MSI)50到500020世纪60年代到70年代前期大规模(LSI)5000到10万20世纪70年代前期到后期超大规模(VLSI)10万到100万20世纪70年代后期到80年代后期甚大规模(ULSI)大于100万20世纪9...
电子/电器/半导体电子工程师/技术员电子技术研发工程师电子/电器维修工程师/技师电子元器件工程师电子软件开发电路工程师/技术员（模拟/数字）模拟电路设计/应用工程师集成电路IC设计/应用工程师自动控制工程师/技术员嵌入式硬件开发（主板机）嵌入式系统软件开发（单片机/DLC/DSP）家用电器/数码产品研发产品工艺/制程工程师激光/光电子技术无线电工程师半导体工程师FAE现场应用工程师版图设计工程师音频/视频工程师/技术员光...
半导体物理答案刘恩科【篇一：半导体物理学刘恩科习题答案权威修订版】s=txt>---------课后习题解答一些有错误的地方经过了改正和修订！第一章半导体中的电子状态1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量ec(k)和价带极大值附近能量ev(k)分别为：?2k2?2(k?k22?1)2?k213?3m?,e(k)?m?k2ecv0m060m0m?0为电子惯性质量，k1?a,a?0.314nm。试求：（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电...
一、半导体物理知识大纲核心知识单元A：半导体电子状态与能级（课程基础——掌握物理概念与物理过程、是后面知识的基础）半导体中的电子状态（第1章）半导体中的杂质和缺陷能级（第2章）核心知识单元B：半导体载流子统计分布与输运（课程重点——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法）半导体中载流子的统计分布（第3章）半导体的导电性（第4章）非平衡载流子（第5章）核心知识单元C：半...
Outline1.Introduction2.IntegratedCircuitandItsApplication3.HowisICmade?–一种相移振荡器（1.3MHz)–Ge衬底，晶体管及电阻、电容全部由Ge制成(面积约11.1x1.6mm2)–扩散工艺形成晶体管–黑蜡掩蔽腐蚀形成Tr台面结构–用细导线互连证明半导体材料不仅可用于制造分立器件，而且可以制造整个电子电路1958.9.12J.Kilby研制成功第一个半导体集成电路---“SolidCircuit”J.Kilby的发明－“固体电路”Kilby和他1958,7,24的设计Migr...
本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试（Open-ShortTest），说说测试的目的和方法。一．测试目的Open-ShortTest也称为ContinuityTest或ContactTest，用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接，并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。测试时间的长短直接影响测试成本的高低，而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。Open-Short测试能快速...
第一次作业1、区别于半导体器件，功率半导体器件的特点有哪些？1）能处理电功率的大小，即承受电压和电流的能力是其最重要的参数其处理电功率的能力小至毫瓦级，大至兆瓦级,大多都远大于处理信息的电子器件电力电子器件一般都工作在开关状态导通时（通态）阻抗很小，接近于短路，管压降接近于零，而电流由外电路决定2）阻断时（断态）阻抗很大，接近于断路，电流几乎为零，而管子两端电压由外电路决定电力电子器件的动态特性（...
第三章习题和答案1.计算能量在E=Ec到之间单位体积中的量子态数。解：2.试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3.当E-EF为1.5k0T，4k0T,10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1.5k0T0.1820.2234k0T0.0180.018310k0T4.画出-78oC、室温（27oC）、500oC三个温度下的费米分布函数曲线，并进行比较。5.利用表3-2中的m*n，m*p数值，计算硅、锗...
中国科学院微电子研究所宽禁带半导体电力电子器件研究主要内容一、国内外发展现状与趋势二、研究内容、拟解决的技术难点和创新点三、研究目标、技术指标四、研究方法、技术路线和可行性分析五、年度进展安排宽禁带半导体材料优越的物理化学特性表1几种SiC多型体及其它常见半导体材料的性能比较特征SiGaAs3C-SiC4H-SiC6H-SiCGaN禁带宽度(eV)1.121.432.43.263.03.4相对介电常数11.812.59.72109.669.5热导率(W/Kcm)1.50.543.23.74....
激子概念•激子：在半导体中，如果一个电子从满的价带激发到空的导带上去，则在价带内产生一个空穴，而在导带内产生一个电子，从而形成一个电子-空穴对。空穴带正电，电子带负电，它们之间的库仑吸引作用在一定的条件下会使它们在空间上束缚在一起，这样形成的复合体称为激子。•万尼尔激子：电子与空穴之间的平均距离远大于原子间距，库伦束缚较弱，这种激子主要在半导体中。•弗伦克尔激子：电子和空穴束缚在体原胞范围内，库...
宽禁带半导体功率器件刘海涛陈启秀摘要阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。关键词宽禁带半导体功率器件碳化硅金刚石WideBandgapSemiconductorPowerDevicesLiuHaitao,ChenQixiu(InstituteofPowerDevices,ZhejiangUniversity,Hangzhou310027)AbstractThepaperpresentsthemaincharacteristicsofwidebandgapsemiconductors,andelabo...
4杂质半导体的载流子浓度1、杂质浓度上的电子和空穴半导体杂质能级被电子占据的几率函数与费米分布函数不同：因为杂质能级和能带中的能级是有区别的，在能带中的能级可以容纳自旋下凡的两个电子；而施主能级只能或者被一个任意自旋方向的电子占据，或者不接受电子（空的）这两种情况中的一种，即施主能级不允许同时被自旋方向相反的两个电子所占据。所以不能用费米分布函数表示电子占据杂质能级的几率。可以证明：电子占据施主...
作者张殿凤12§1、固体的能带一.电子共有化固体具有大量分子、原子或离子有规则排列的点阵结构。电子受到周期性势场的作用。-----a3解定态薛定鄂方程，可以得出两点重要结论：１.电子的能量是量子化的;２.电子的运动有隧道效应。原子的外层电子(高能级)，势垒穿透概率较大，电子可以在整个固体中运动,称为共有化电子。原子的内层电子与原子核结合较紧,一般不是共有化电子。4二.能带量子力学计算表明，固体中若有N个原子，由于各...
1半导体物理学物理楼110室，Email:2课程代码：课程性质：专业课程/选修课学分：3.0时间：周三（9,10）、（单周）周四（3,4）教室：B座111课程特点：内容广、概念多，理论和系统性较强。课程要求：着重物理概念及物理模型；根本的计算公式课程考核：考勤（30%），作业（20%），期末（50%）课程简介13教材刘恩科，朱秉升，罗晋生编著《半导体物理学》(第四版)，国防工业出版社（2011）参考书刘恩科，朱秉升...
15.1.15.1.1只读存储器（只读存储器（ROMROM））5.1.25.1.2静态随机存储器（静态随机存储器（SRAMSRAM））5.1.35.1.3动态随机存储器（动态随机存储器（DRAMDRAM））5.1半导体存储器2半导体存储器随机存储器（RAM）静态RAM（StaticRAM）动态RAM（DynamicRAM）只读存储器(ROM)掩膜ROM（MaskROM）可编程ROM（PROM）可擦可编程ROM（EPROM）半导体存储器的分类5.1.1只读存储器（ROM）3根本结构：地址译码器、存储矩阵、输出缓冲器地...
24/4/261。任务二半导体压阻式传感器在液位测量上的应用一、任务描述与分析对一个回油槽的油位进行测量，油槽的正常油位在1.5米左右，最高为2米，油槽为敞开式结构，因为液体的深度与产生的压力成比例，因而可以在油槽的底部安装压力传感器来测量油位，比如安装扩散硅压力传感器。24/4/262二、相关知识什么叫压阻效应？在半导体材料上施加一作用力时，其电阻率将发生显著的变化，这种现象称为压阻效应。24/4/26324/4/264（二）...
