标签“光刻”的相关文档,共26条
  • 光刻工作总结报告[30页]

    光刻工作总结报告[30页]

    CompanyLOGO工作总结报告ContentsResolutionlimitANDDOF2工艺问题处理4光刻机的发展31RETMAN程序设计3光刻机的发展一.光刻机的发展主要从二十世纪70年代到现在,从早期的线宽5微米以上到现在的亚微米尺寸,从汞灯光源到KrF等,按曝光方式大致将光刻机分为五代。五代光刻机Future步进重复光刻机分步重复光刻机扫描投影光刻机接触式光刻机接近式光刻机因为接触容易污染,每5到25次需要更换掩模版。二十世纪70年代主要光刻手段。...

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  • 光学光刻[共38页]

    光学光刻[共38页]

    1光学光刻光学光刻光刻光刻蚀光源曝光方式一光刻概述一光刻概述评价光刻工艺可用三项主要的标准:分辨率、对准精分辨率、对准精度度和生产效率生产效率。2涂光刻胶(正)选择曝光选择曝光光刻工艺流程光刻工艺流程显影(第1次图形转移)刻蚀(第2次图形转移)3光源紫外光(UV)深紫外光(DUV)g线:436nmi线:365nmKrF准分子激光:248nmArF准分子激光:193nm极紫外光(EUV),10~15nmX射线,0.2~4nm电子束离子束二光源的种类4...

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  • X射线光刻[共27页]

    X射线光刻[共27页]

    X射线光刻技术光刻基本介绍在硅片表面涂胶,然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上的过程,再通过后续加工将图形转移到硅片上将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。光刻占40%到50%的流片时间。决定最小特征尺寸。掩模版—光刻胶—硅圆片光刻处于晶圆加工过程的中心,一般被认为是集成电路(IC)制造中最关键的步骤,需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。光刻的基本原理图光...

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  • 光刻胶项目实施方案

    光刻胶项目实施方案

    光刻胶工程实施方案投资分析/实施方案光刻胶工程实施方案近年来,受益于消费电子、LCD及半导体产业等下游产能向大陆转移,国内光刻胶市场增速远高于全球。同时,国内厂商开头在光刻胶领域加速布局,在PCB领域已初步实现进口替代,在LCD领域随着局部关键技术的突破,国内企业逐步开头自给,随着国内对半导体企业在资金、政策方面大力扶持,光刻胶国产化进程可期,光刻胶进口替代成为必定趋势。该光刻胶工程打算总投资19399.87万...

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  • 光刻技术的现状和发展

    光刻技术的现状和发展

    光刻技术的现状和进展近两年来,芯片制造成为了半导体行业进展的焦点。芯片制造离不开光刻机,而光刻技术则是光刻机进展的重要推动力。在过去数十载的进展中,光刻技术也衍生了多个分支,除了光刻机外,还包括光源、光学元件、光刻胶等材料设备,也形成了极高的技术壁垒和错综简单的产业幅员。光刻技术的重要性据华创证券此前的调研报道显示,半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上,这一过程通过光刻...

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  • T∕QGCML 2307-2023 光刻胶用低金属含量四甲氧甲基甘脲生产技术要求

    T∕QGCML 2307-2023 光刻胶用低金属含量四甲氧甲基甘脲生产技术要求VIP

    ICS71.100.01CCSG15团体标准T/QGCML2307—2023光刻胶用低金属含量四甲氧甲基甘脲生产技术要求Technicalrequirementsfortheproductionoflowmetalcontenttetramethoxymethylglyureaforphotoresist2023-11-27发布2023-12-12实施全国城市工业品贸易中心联合会发布T/QGCML2307—2023I目次前言..................................................................................II1范围.............................................

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