1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性：热敏性、光敏性、掺杂性。2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。6、硅管Uon和Ube：0.5V和0.7V；锗管约为0.1V和0.3V。7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。③加反向电压并击穿（即满足U﹥UZ）时便稳压为UZ。8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。三个极：基极B、发射极E和集电极C。二个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=IC/IB(或IC=βIB)和开关作用.10、当输入信号Ii很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。11、失真有三种情况:⑴截止失真原因IB、IC太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。调小RB，以增大IB、IC，使Q点上移。⑵饱和失真原因IB、IC太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。调大RB，以减小IB、IC，使Q点下移。⑶信号源US过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。共射电路的输出电压U0与输入电压UI反相，所以又称反相器。共集电路的输出电压U0与输入电压UI同相，所以又称同相器。2、差模输入电压Uid=Ui1-Ui2指两个大小相等，相位相反的输入电压。（是待放大的信号）共模输入电压UiC=Ui1=Ui2指两个大小相等，相位相同的输入电压。（是干扰信号）差模输出电压U0d是指在Uid作用下的输出电压。共模输出电压U0C是指在UiC作用下的输出电压。差模电压放大倍数Aud=U0d//Uid是指差模输出与输入电压的比值。共模放大倍数Auc=U0C/UiC是指共模输出与输入电压的比值。（电路完全对称时Auc=0）共模抑制比KCRM=Aud/Auc是指差模共模放大倍数的比，电路越对称KCRM越大，电路的抑制能力...