.1.晶体的电光效应2.KDP晶体线性电光效应3.KDP晶体的应用1晶体的电光效应因为晶体折射率的各向异性与组成晶体的原子或分子的排列方式及相互作用的特点有关，因此，外界作用可以改变他们的排列方式（例如压力下的形变）或相互作用的状况（例如电场使原子极化），导致晶体光学性质产生相应的变化。人工双折射就是指光学介质受到人为施加的外力或外场作用而产生的偏振和双折射现象。人工双折射可以根据人们的意愿加以控制。例如将一块受到电场作用的晶体放在两块偏振器之间，人们就可以通过改变电场的大小或方向而有效的控制出射光束的强度、方向和偏振态等，达到电光调制、偏转、调Q等目的。1.1电光效应基本原理在各向异性晶体中，介电常数是随作用在介质上的电场强度而变化的，尤其在强场作用下这种变化就更加明显，光波在其中的传播规律也要改变。对于无对称中心的晶体，外加电场沿一个主轴方向作用于晶体上，感生电位移矢量D和外加电场E的方向一致，大小关系可表示为：D=ε0E+αE2+βE3+…以D(E)曲线的切线斜率定义介电常数，上式可写为：ε=dDdE=ε0+2αE+3βE2+…..显然，折射率随外加电场而变化（如下图）。我们把介质由于外加电场作用而引起的折射率变化的现象称为电光效应。为了定量的描述电场引起的折射率变化，上式写为:n2=n02+2αE+3βE2+…n=n0(1+2αn02E+3βn02E2)1/2利用公式0)x(11mx当xm，上式可简化为：n=n0+αn0E+3β2n0E2+…令：a=α/n0,b=3β/2n0,则有电场引起折射率变化为：n-n0=aE+bE2+…此外，不仅电场能够引起介质折射率变化，而且外力也能引起介质的折射率变化。沿晶体主轴方向作用单向压力，参照上述分析方法，折射率因应力而产生的变化，可表示为：n-n0=a'σ+b'σ2+…..其中σ表示应力。由于应力产生的折射率变化成为弹光效应。当介质上作用一外电场时，除了由于介电常数的变化引起折射率的变化外，电场还通过反压电效应作用，使介质产生应变，这种应变通过弹光效应引起折射率变化。为了区别这两种折射率变化，我们把由外加电场通过介电常数引起的折射率变化称为初级电光效应，而把由外加电场通过反压电效应引起的折射率变化称为次级电光效应。因此，外加电场对介质所产生的折射率变化为两种效应之和：n-n0=aE+a'σ+bE2+b'σ2+…任意方向外加电场对于晶体折射率的影响，可以用折射率椭球的改变来描述。折射率椭球的一般形式为：1n112x12+1n222x22+1n332x32+21n122x1x2+21n132x1x3+21n232x2x3=1引入逆介电张量B...