《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。1．2在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是少子是。1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。1．42APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。()1．10PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。()1．11在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36V。()1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。()解答：1.1杂质浓度温度1.2电子空穴空穴电子·1·1.3单向导电性正向偏置导通反向偏置截止1.4N型锗材料N型硅材料1.5增大减小减小1.6（b）1.7（b）（a）1.8（b1）（c2）1.9（√）1.10（×）1.11（√）1.12（√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为A，求外加正向电压为0．2V、0．4V时二极管的直流电阻RD。和交流电阻rd。(提示：二极管的直流电阻RD=UD/ID；交流电阻。)1.13解答：0.2V时，0.4V时，则直流电阻(0.2V时)(0.4V时)交流电阻(0.2V时)(0.4V时)从上计算结果，说明该二极管在0.2V时在阈值电压以下，而0.4V在阈值电压以上，正常工作状态。1．14用万用表的Rxl0挡和Rxl00挡分别测量同一个二极管的正向电阻，试分析两次测试结果是否相同。若不同，哪一次测得的结果大?(提示：用Rxl00挡时表内等效内阻约为用Rxl0挡时表内等效电阻的10倍。)1.14解答：用万用表的不同量程去测量二极管的正向电阻，由于表的内阻不同使流过管子的电流大小不同，也就是工作点的位置不同...