第六章存储器系统本章主要讨论内存储器系统，在介绍三类典型的半导体存储器芯片的结构原理与工作特性的基础上，着重讲述半导体存储器芯片与微处理器的接口技术。6.1重点与难点本章的学习重点是8088的存储器组织；存储芯片的片选方法（全译码、部分译码、线选）存储器的扩展方法（位扩展、字节容量扩展）。主要掌握的知识要点如下：6.1.1半导体存储器的基本知识1.SRAM、DRAM、EPROM和ROM的区别RAM的特点是存储器中信息能读能写，且对存储器中任一存储单元进行读写操作所需时间基本上是一样的，RAM中信息在关机后立即消失。根据是否采用刷新技术，又可分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种。SRAM是利用半导体触发器的两个稳定状态表示“1”和“0”；DRAM是利用MOS管的栅极对其衬间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”；ROM的特点是用户在使用时只能读出其中信息，不能修改和写入新的信息；EPROM可由用户自行写入程序和数据，写入后的内容可由紫外线照射擦除，然后再重新写入新的内容，EPROM可多次擦除，多次写入。一般工作条件下，EPROM是只读的。2.导体存储器芯片的主要性能指标（1）存储容量：存储容量是指存储器可以容纳的二进制信息量，以存储单元的总位数表示，通常也用存储器的地址寄存器的编址数与存储字位数的乘积来表示。（2）存储速度：有关存储器的存储速度主要有两个时间参数：TA：访问时间（AccessTime），从启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间。TMC：存储周期（MemoryCycle），启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔。（3）存储器的可靠性：用MTBF—平均故障间隔时间（MeanTimeBetweenFailures）来衡量。MTBF越长，可靠性越高。（4）性能/价格比：是一个综合性指标，性能主要包括存储容量、存储速度和可靠性。3.半导体存储器的基本结构半导体存储器的基本结构如下图所示。MAR地址译码器读/写MDR存储体MB时序/控制CPUM位地址N位数据控制信号4.存储器的数据组织计算机系统中，作为一个整体的一次存放或取出内存储器的数据称为“存储字”，在现代计算机系统中，特别是微机系统中，内存储器一般都是以字节为单位编址，即一个存储地址对应一个8位存储单元（位）。一个16位的存储字占两个连续的8位存储单元。Intel80x86系统中，16位存储字或32位存储字的地址是2个或4个存储单元中最低端的存储单元中的地址，而此最低端存储单元中存放的是16位或32位字中最低8位。6.1.2...